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用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創(chuàng)造新可能
- AI的計(jì)算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲(chǔ)已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問(wèn)題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實(shí)現(xiàn)更高的收益，如何讓存儲(chǔ)方案給計(jì)算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持，加速數(shù)據(jù)交換，節(jié)省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技術(shù)如何扮演起關(guān)鍵角色。閃存技術(shù)最初被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中，旨在縮小存儲(chǔ)方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術(shù)的不斷升級(jí)，這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)從成為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品存儲(chǔ)主力，并緊接著在網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)中提供高速的數(shù)據(jù)存取支持。如今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)正在邁向AI時(shí)代，通過(guò)大量創(chuàng)新型的存儲(chǔ)方案創(chuàng)造更多可能性。例
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 BiCS Flash
長(zhǎng)江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元
- 總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長(zhǎng)存集團(tuán)）召開股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中國(guó)十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長(zhǎng)存集團(tuán)新增股東員工持股平臺(tái) —— 武漢市智芯計(jì)劃一號(hào)至六號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
- 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 3D NAND 晶棧 Xtacking
SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場(chǎng)條件調(diào)整價(jià)格。在三大巨頭中，美光是第一個(gè)宣布提價(jià)的，據(jù) EE Times China9 月 12 日?qǐng)?bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價(jià)格將上漲 20%-30%，提價(jià)不僅涉及消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)，還包括汽車電子，后者的價(jià)格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來(lái)源還表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 三星 AI 海力士
Kioxia 股價(jià)因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益
- 根據(jù)韓國(guó)媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價(jià)在 NAND 市場(chǎng)供應(yīng)短缺的情況下急劇上漲。報(bào)道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現(xiàn)在正實(shí)現(xiàn)顯著的價(jià)值增長(zhǎng)。報(bào)道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價(jià)在過(guò)去一個(gè)月內(nèi)上漲了 70%。隨著鎧俠股價(jià)飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據(jù)報(bào)道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬(wàn)億韓元）的貝恩資本主導(dǎo)的
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 NAND 人工智能 SSD
美光凍結(jié)價(jià)格，推理 AI 推動(dòng) SSD 需求激增及供應(yīng)短缺
- 隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動(dòng)了對(duì)大容量?jī)?nèi)存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價(jià)格上調(diào) 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產(chǎn)品的價(jià)格一周。行業(yè)內(nèi)部人士報(bào)告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報(bào)價(jià)，涵蓋 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品，甚至不愿意討論明年的長(zhǎng)期合同。供應(yīng)鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預(yù)測(cè)）后，美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴(yán)重的供應(yīng)短缺，促使公司緊急暫停
- 關(guān)鍵字： 美光 AI 存儲(chǔ) NAND SSD
長(zhǎng)江存儲(chǔ)加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊(cè)資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元
- 現(xiàn)在，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）迎來(lái)了一個(gè)重磅消息。9月5日，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司由長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司與湖北長(zhǎng)晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元；湖北長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)江存儲(chǔ) YMTC NAND 三星
內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說(shuō)，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會(huì)成為韓國(guó)在人工智能和 HBM 競(jìng)賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND DRAM
第二季度NAND收入環(huán)比增長(zhǎng)22%
- TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長(zhǎng)22%，達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長(zhǎng) 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場(chǎng)份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長(zhǎng) 52.5%，達(dá)到 33.4 億美元，市場(chǎng)份額為 21.1%。鎧俠第二季度營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長(zhǎng)11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長(zhǎng) 3.7%，達(dá)到 21 億美元，市場(chǎng)份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長(zhǎng) 12.2% 至 19 億美元
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
美國(guó)撤銷對(duì)三星、SK 海力士的中國(guó)芯片制造工具許可證：解碼市場(chǎng)影響
- 三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國(guó)政府入股的風(fēng)險(xiǎn)，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國(guó)芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國(guó)遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報(bào)告表明撤銷將在 120 天后開始。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō)，值得注意的是，美國(guó)政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國(guó)現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營(yíng)，但不會(huì)批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級(jí)。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時(shí)候通過(guò)出售其大連工廠
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 晶圓廠 NAND
內(nèi)存漲價(jià)輪到NOR Flash！ 第四季全面漲勢(shì)更兇狠
- 終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價(jià)格一度積弱不振，不過(guò)近期業(yè)界驚傳，中國(guó)市場(chǎng)NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報(bào)價(jià)5~10%，盡管市場(chǎng)仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測(cè)成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，隨著近期市場(chǎng)漲價(jià)風(fēng)聲蠢蠢欲動(dòng)，NOR Flash價(jià)格將從第4季在各區(qū)域市場(chǎng)全面反映報(bào)價(jià)調(diào)漲， 單季漲幅將達(dá)雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場(chǎng)價(jià)格近來(lái)明顯走揚(yáng)，不僅DDR4身價(jià)暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價(jià)格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個(gè)月來(lái)現(xiàn)貨價(jià)格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔(dān)憂
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NOR Flash
三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計(jì)劃
- 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計(jì)劃在2025年下半年放緩對(duì)先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場(chǎng)需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對(duì)NAND的投資負(fù)擔(dān)加重。三星自2025年初開始，在韓國(guó)平澤的P1廠和西安NAND廠推進(jìn)轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級(jí)至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對(duì)最先進(jìn)NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND
美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證
- 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級(jí) NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測(cè)試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動(dòng)態(tài)老化。它還基于美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過(guò)了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
- 關(guān)鍵字： 美光 內(nèi)存 NAND
中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃通過(guò)使用國(guó)產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來(lái)擺脫美國(guó)制裁
- (圖片來(lái)源：YMTC)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC），中國(guó)領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來(lái)一直被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)市場(chǎng)的 15%，據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國(guó)制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬(wàn)片晶圓啟動(dòng)據(jù) DigiTimes 報(bào)道，預(yù)計(jì)到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
- 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 內(nèi)存
中國(guó)CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)
- 中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技 （CXMT） 和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技 （YMTC） 正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來(lái)，中國(guó)內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場(chǎng)中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求和政府補(bǔ)貼的推動(dòng)下，中國(guó)內(nèi)存正在提高其競(jìng)爭(zhēng)力。此外，它還對(duì)高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
- 關(guān)鍵字： CXMT YMTC DRAM NAND
「STM32 Flash 操作全解析」擦除、寫入、讀取一網(wǎng)打盡！附完整源碼
- 在嵌入式開發(fā)中，MCU 內(nèi)部的 Flash 常用于存儲(chǔ)配置信息、日志數(shù)據(jù)或用于 OTA 升級(jí)。STM32F4 系列 MCU 提供了對(duì) Flash 的靈活操作能力，包括按扇區(qū)擦除、字節(jié)或半字寫入等。本文將圍繞一段實(shí)際使用的 Flash 操作代碼進(jìn)行講解，主要涉及 Flash 的擦除、寫入與讀取功能。一、Flash 結(jié)構(gòu)及操作基本原理STM32F4 MCU 的 Flash 存儲(chǔ)器按照扇區(qū)（Sector）劃分，每個(gè)扇區(qū)大小不一，例如在 STM32F407 中，前四個(gè)扇區(qū)大小為 16KB，第五個(gè)為 64KB，之后
- 關(guān)鍵字： STM32 Flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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